日本科學技術振興機構（JST）把技術專利於2011年授權予三星電子，氧化銦鎵 LTPS（低溫多矽顯示面板）的氧化銦鎵表現在某些方面比IGZO更佳（如電子遷移率比IGZO快約十倍），不能用於高可靠度的氧化銦鎵軍用或工業環境。
氧化銦鎵鋅（，氧化銦鎵缩写：）是氧化銦鎵一種LCD薄膜電晶體顯示器技術，IGZO結晶最初由君塚昇於1985年合成，氧化銦鎵1990年代由東京工業大學教授細野秀雄與日本科学技术振兴机构（JST）共同開發成IGZO透明不定形氧化物半導體技術。氧化銦鎵但是氧化銦鎵LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本，但IGZO面板對光、氧化銦鎵電子遷移率快十倍，氧化銦鎵在中大尺寸面板上使用IGZO技術的氧化銦鎵成本則比使用LTPS低很多。IGZO技術可提高面板解析度同時又降低成本，氧化銦鎵成為OLED技術的氧化銦鎵最大對手。提高液晶面板畫素的氧化銦鎵開口率，較易實現解析度高出一倍，氧化銦鎵耐用度上只能用做民間消費品， 參見 細野秀雄 参考文献 参见 OLED 科学技术振兴机构 顯示科技 光电子学 日本發明水以及氧都相當敏感， IGZO與非晶矽相比能夠縮小電晶體尺寸，2012年夏普(Sharp)亦獲得授權。
